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MJD128T4G中文资料

MJD128T4G图片

MJD128T4G外观图

  • 大小：75.87KB
  • 厂家：ONSEMI
  • 描述：ON Semiconductor [Complementary Darlington Power Transistor]
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 80mA，8A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：5mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：1000 @ 4A，4V
  • 功率 - 最大：1.75W
  • 频率 - 转换：4MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：DPAK-3
  • 包装：带卷 (TR)

MJD128T4G供应商

更新时间:2023-01-08 06:12:58
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